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开关损耗 MOS 开关损耗的组成 开关功耗 PS  对感性负载  通态功耗 PON  断态损耗 POFF 一般忽略 驱动损耗 PGATE 根据不同器件确定 吸收回路的损耗 根据具体的吸收回路及其参数而定 MOSFET 、IGBT等压控器件的驱动 损耗要小于电流型驱动器件 二极管 二极管的损耗在高频下是重要的损耗   一般二级管: trr为1-10微秒,可用于低频整流; 快恢二极管：trr小于1个微秒; 超快恢二级管trr小于100纳秒（外延法制造）。 肖特基二级管trr在10纳秒左右 二极管的关断过程  吸收回路 RCD snubber   举例：已知变换器Vce = 200V, tf = 0.2μs , tr = 0.05μs , 工作频率100kHz ，晶体管集电极电流Ic=2A, 求变换器的开关晶体管缓冲器的有关参数.   RCD snubber的等效接法  复合snubber电路 同时进行电压缓冲和电流缓冲，主要是减小器件开通时的di/dt和关断时的dv/dt，使导通和关断过程的损耗均有所降低。  无损snubber电路   基于实际项目，原创反激开关电源视频教程曝光 为了给想学习电源技术而找不到途径的新人和想更进一步巩固电源技术的在职电源工程师一个学习平台，此次知名资深电源工程师张飞应邀请，花了整整6个月的时间做了一个反激开关电源实际项目，把整个项目的过程以视频的方式记录了下来；一边做项目一边讲解，同时将其录制。 视频内容截屏神秘曝光     PCB版、电源实物曝光    |
DFM100中文服务手册（维修手册）
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