到EMC的整改问题，相信各位接触过的工程师都会有很刻记忆。我就结合测试的曲线说一下我的整改经过吧。

先上一个测试不通过的曲线：

传导测试的曲线

空间辐射的V方向曲线

空间辐射的H方向的曲线

这个电源是一个25W左右的开关电源，此电路用了一个0。1uF的X电容和一个30mH的共模电感。次级输出加了一个50uH的工字电感。我看了一下这个产品发现MOS管和双向二极管所带的散热片都是没有接入热地的。

我的整改方案如下：

修改了X电容变成0。22uF。而1-5MHz之间也超标，增加共模电感到50mH ，这项频率超标一般主要是有变压器的漏感造成的。在变压器的外面增加了一个屏蔽铜箔，并接入热地。（同时做了别外一个变压器，去除原变压器内部的屏蔽层，改变了变压器的绕线方式，在变压器的外面做了屏蔽并接入热地用备用）同时将MOS管和双向二极管的散热片也接入热地。

同时将MOS管的D、S两脚间增加了一个101/1KV的电容，做完以上的整改方案后做了一次测试。测试后发现还是不够完善，于是我做了第二次修改，将变压器更新成我前面提到过的改变了绕线方式的变压器。用我的频谱分析仪重新查看了一产品的变压器的位置和MOS管的位置。发现MOS管的位置曲线不是有点高，并且成有规律的波形。

于是用频谱分别对MOS管的G、D、S三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源，发现D极的辐射源最大。于是我在D极上串了一个通用的插件磁珠。（￠3.5*8）再看MOS管的频谱曲线如下：

大家可以看到此时MOS管的辐射明显减小而且更平稳了一些.于是第二次做了测试.结果如下：

从上图可以看到此时的传导已经非常的好，余量最小的为8.6dB。

上图为H方向的曲线余量更大。

经过两次的修改该产品顺利的符合了标准测试。

最终的整改方案为：

将MOS管，双向二极管的散热片面接入电源的热地。

将X电容改为0.22uF。

将共模电感改为50mH。

在MOS管的D线电路的正面串入一个插件的磁珠。去消在D、S间并接的101电容。

将变压器的绕线方式改变了一下，取消内部的屏蔽，而在外部加了一个屏蔽层。并接入热地。

小结：

解决EMC的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。

消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉，这种是治本的方式。

切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断，使其无法向外干扰，也就是我们常做的滤波，屏蔽等方法。

疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。