EMI主要来源：高di/dt，电感器，开关管，功率二极管等。

先聊聊传导：顾名思义通过导线污染电网影响同一电网中的使用设备。

我们先看小功率的，在调试中主要就是上图中3个地方：

1、π滤波，小功率12W以内的我基本都用π滤波，再大我就会选用X电容+共模电感了。

我的调试经验：下面为我调试中感觉有用的方法。

1-1：0.5M以前可以试一下前级选用小一点的电容，后级选用大一点的电容。　　

2个4.7uF　　

前级4.7uF后面6,8uF

可以用老化的方式去试一下是否此处问题，老化后有所降低基本就此问题，有的认证机构不接受老化后的结果，所以这里要注意。

1-2：0.5M前调整电感量

π电感2mH

改为1mH。

π滤波不像X电容+共模电感越大越好，有时候反而小点好。

1-3：10M以后R16放电阻

未加放电电阻

加上放电电阻

1-4：变压器加屏蔽。主要是0.5M到5M

初次级未加屏蔽

加上屏蔽

1-5：增加或加大Y电容容量，改变Y电容位置。 主要0.5M-5M

102Y电容

换成222Y电容

大功率

1、变压器和Y电容同上。

2、X电容

3、共模电感

3、布线和结构

加大X电容和共模电感：对比图1 主要还是在0.5M前

加大X电容和共模电感

下面我们来看看AV值超的情况

检查发现MOS于LN太近

内置MOS靠近保险丝处为MOS引脚

更改

在测试传导

OK很漂亮了

我找到一个比较明显的

先上30mH的图：

再上改到69mH的

变压器和LN太近，因为结构问题LN弹片和连接线在变压器正上方，图片不太方便传。

这是已经有说改善的一张图裸图没找到，基本和上面MOS和LN太近一样，这个改善是在横向包了一圈铜箔接地，我们再上横向纵向都接地的图下图。

再上一个变压器LN干扰的案例

查看发现

黑线接整流二极管，白线接地，把黑线放在白线右侧就OK。上图

辐射主要就是di/dt，首先画板要注意关键路径，初级和次级的关键路径，也就是大功率的回来输入点解到变压器在经过MOS CS电阻回大电解的地，这是一次侧，二次侧变压器到输出点解回路，辐射顾名思义空间传播干扰，我们是消费类产品说以过民用标准classB EN55022B，大功率小功率整改方法大致相同我们就直接上个PSR原理图。

先上一个超标的图

此图是110V输入 垂直 88M超标了830M的不用管手机信号串进去了，

现在ds并个101/1KV电容试下

很好已经看见余量了继续。输出二极管套个磁珠

又下来一点我们再把磁珠传导Y电容上

已经将近3个dB了。

换不同品牌MOS

先上XXMOS

33.76M超了，换一MOS品牌

下面再看一个MOS并电容的

原图：

DS并一颗101/1KV贴片电容后